CVD金刚石的外观、成分与天然金刚石几乎一样，物理、化学特性也没有太大不同，在肉眼下，两者看不出任何区别。不过CVD金刚石之所以受重视，最主要的原因就是“纯”，它与天然金刚石相比更加地干净，几乎没有任何杂质。

半导体材料界的新星：CVD金刚石

极高的纯度，使得CVD金刚石在应用上比天然金刚石拥有更多的可能性——比如说凭借优异的电学性质，金刚石材料目前已在半导体领域中独占鳌头。金刚石与c-BN（6.4eV）、Ga2O3（4.8eV）、AIN（4.eV）等材料禁带宽度在5eV左右，同属于当前热门的的超宽禁带半导体材料。其中金刚石的禁带宽度为5.47eV，是当前单质半导体材料中带隙最宽的材料，其各项电学性质极其优异：

①极高的击穿电场：高达109Vem-1，是础化镓材料的17倍，氮化镓材料的2倍，碳化硅材料的2.5倍。

②饱和载流子速度：在饱和载流子速度方面金刚石是硅、砷化镓的2.7倍，而且载流子速度比础化镓的峰值还要大，即在申场强度增加时也可维持其高的速率。

③载流子迁移率：金刚石的电子迁移率与空穴迁移率都优于其它半导体材料，室温下电子的迁移率为4500cm2/V·S，而硅仅为1500cm2/V·S，砷化镓为8500cm²/V-S，氮化镓低于1000cm2/V·S；金刚石空穴迁移率为3800cm2/V·S，而硅仅为600cm2/VS，砷化镓为400cm2/V·S，氮化镓为<50cm2/V·S，因而，金刚石可以制作高频电子器件。

④低的介电常数：金刚石的介电常数为5.7，约为砷化镓的二分之一，小于InP的一半，即在给定的频率下，金刚石半导体具有优越的容性负载，这为毫米波器件的设计提供了极大的方便。